DB HiTek啟動650V氮化鎵HEMT工藝客戶支援計劃
– 助力人工智慧資料中心、機器人等領域實現高效化與小型化的關鍵技術– 專屬氮化鎵多專案晶圓專案計劃於10月底推出– 將BCD工藝技術優勢拓展至氮化鎵、碳化矽等化合物半導體領域 韓國首爾2025年9月11日 /美通社/ — 全球領先的8英寸特色晶圓代工廠DB HiTek今日宣佈,其下一代功率半導體平臺 — 650V增強型氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)工藝開發已進入最終階段。該公司還將於10月底推出專屬氮化鎵多專案晶圓(MPW)專案。 與傳統矽基功率器件相比,氮化鎵半導體在高壓、高頻及高溫工作環境下具備卓越效能,功率效率出眾。特別是650V增強型氮化鎵HEMT,憑借其高速開關效能與穩健的執行穩定性,成為電動汽車充電設施、超大規模資料中心電源轉換系統及先進5G網路裝置的理想選擇。 早在2022年化合物半導體市場初現雛形時,DB HiTek便將氮化鎵與碳化矽確立為核心增長引擎,持續加大工藝研發投入。公司發言人表示:「DB HiTek憑借開發全球首款0.18微米BCDMOS工藝等成就,已在矽基功率半導體領域獲得國際認可。透過新增氮化鎵工藝能力,我們將以更廣泛的技術組合增強市場競爭力。」 完成650V氮化鎵HEMT工藝開發後,DB HiTek計劃在2026年底前推出200V氮化鎵工藝及針對積體電路最佳化的650V氮化鎵工藝。未來公司還將根據市場需求和客戶要求,將氮化鎵平臺拓展至更廣泛的電壓範圍。 為支援這些舉措,DB HiTek正在擴建位於韓國忠清北道的Fab2潔淨室設施。此次擴建預計每月新增約3.5萬片8英寸晶圓產能,支援氮化鎵、BCDMOS和碳化矽工藝的生產。擴建完成後,DB
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